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KB RISE Non-Memory Semiconductor Active ETF 백테스트

KB RISE Non-Memory Semiconductor Active ETF의 전체 일봉에서 추세추종 전략 10종을 같은 조건으로 비교했습니다. 5종이 매수후보유 CAGR을 웃돌았고, 메인 백테스터와 같은 Sharpe 1위는 MACD입니다. 수익·낙폭 균형 대안은 MACD(CAGR 24.4%, MDD -23.2%)입니다.

데이터 2021-06-10 ~ 2026-08-31일봉 1,256 (5.2 년)수수료 0.5%거래소 KRX월간 갱신 2026-08-31

전략별 성과

전략 10종 중 5종이 매수후보유(CAGR 21.0%, MDD -51.3%)를 이겼습니다.

Sharpe 1위(메인과 동일): MACD — CAGR 24.4%, MDD -23.2%, Sharpe 0.97, 시장 노출 48%.

CAGR 참고 1위: Donchian 채널 돌파 — CAGR 28.3%, MDD -32.7%, 노출 73%.

수익·낙폭 균형 대안: MACD — 매수후보유보다 CAGR은 3.4%p 높고, MDD는 28.1%p 개선됐습니다(CAGR 24.4%, MDD -23.2%, 노출 48%).

균형 대안은 매수후보유 CAGR의 75% 이상, MDD 상대 20%·절대 5%p 이상 개선, 시장 노출 95% 미만인 전략 중 수익 보존(60%)과 낙폭 개선(40%)을 함께 평가해 선정합니다.

전략 · 파라미터CAGRMDDSharpeCalmar누적거래노출
MACD
fast=23, slow=42, signal=18
24.4%-23.2%0.971.053.1배3548%
Donchian 채널 돌파
entryN=15, exitN=51
28.3%-32.7%0.930.873.7배1473%
EMA 크로스오버
fast=11, slow=58
25.8%-27.5%0.910.943.3배2259%
SMA 크로스오버
fast=39, slow=187
27.6%-51.3%0.880.543.6배754%
ROC 모멘텀
n=146, threshold=0.13
26.7%-51.3%0.880.523.4배1147%
Keltner 채널 돌파
emaPeriod=13, atrPeriod=17, mult=1.8
13.7%-16.7%0.860.822.0배3824%
볼린저 밴드 돌파
n=25, k=3.1
5.0%-8.4%0.770.591.3배23%
Supertrend
period=10, mult=1.6
16.7%-26.5%0.760.632.2배8957%
ADX / DI 방향성
period=37, threshold=7
18.5%-28.2%0.750.662.4배6054%
Parabolic SAR
step=0.04, maxStep=0.1
12.1%-30.7%0.600.391.8배11056%
매수후보유21.0%-51.3%0.680.412.7배1100%
1배 2022 2023 2024 2025 2026 Donchian 채널 돌파MACD매수후보유
MACD (Sharpe 1위), Donchian 채널 돌파 (CAGR 참고 1위), 매수후보유.
0% -13% -26% -38% -51% 2022 2023 2024 2025 2026 매수후보유Donchian 채널 돌파MACD
MACD 최대 낙폭 -23.2% (2024-04-04 → 2024-11-15), 447일 후 회복.

최고 전략의 매매 규칙

단기·장기 평균의 ‘간격(MACD)’이 자신의 신호선을 넘는지로 모멘텀을 봅니다.

계산 방법과 주의사항

과거 성과는 미래 수익을 보장하지 않습니다. 파라미터는 같은 전 구간 데이터에서 sharpe 기준으로 전략당 40회 탐색했으므로 인샘플 편향이 있습니다. 수수료 0.5%를 반영했지만 세금·슬리피지·주문 실패는 포함하지 않았습니다.
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